存儲原理
計算機把二進制數(shù)字信號轉(zhuǎn)為復合二進制數(shù)字信號（加入分配、核對、堆棧等指令）讀寫到USB芯片適配接口，通過芯片處理信號分配給EEPROM存儲芯片的相應地址存儲二進制數(shù)據(jù)，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。EEPROM數(shù)據(jù)存儲器，其控制原理是電壓控制柵晶體管的電壓高低值，柵晶體管的結(jié)電容可長時間保存電壓值，斷電后能保存數(shù)據(jù)的原因主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵。在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數(shù)據(jù)是0或1取決于在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。閃存就如同其名字一樣，寫入前刪除數(shù)據(jù)進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數(shù)據(jù)歸“1”。寫入時只有數(shù)據(jù)為0時才進行寫入，數(shù)據(jù)為1時則什么也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。讀取數(shù)據(jù)時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態(tài)（數(shù)據(jù)為1）下，在柵電極施加電壓的狀態(tài)時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動，就會產(chǎn)生電流。而在浮動柵有電子的狀態(tài)（數(shù)據(jù)為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收后，很難對溝道產(chǎn)生影響。 |
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