靜電放電的危害：
（1）引起電子設(shè)備的故障或誤動(dòng)作，造成電磁干擾。
（2）擊穿集成電路和精密的電子元件，或者促使元件老化，降低生產(chǎn)成品率。
（3）高壓靜電放電造成電擊，危及人身安全。
（4）在多易燃易爆品或粉塵、油霧的生產(chǎn)場(chǎng)所極易引起爆炸和火災(zāi)。
隨著芯片工藝的進(jìn)步，芯片的速度和功能都得以提升，但芯片卻變得更加脆弱。集成度的提高使得器件尺寸越來(lái)越小，器件之間的連線寬度越來(lái)越窄，鈍化層越來(lái)越薄，這些因素都會(huì)使芯片對(duì)ESD的敏感性增加。一個(gè)不太高的ESD電壓就能將晶體管擊穿，一個(gè)不太大的ESD電流就能將連線熔斷。因此靜電放電保護(hù)至關(guān)重要，今天我們特別推薦ESD放電二極管FESD0504S，它可以讓我們的電子產(chǎn)品不再擔(dān)心靜電放電的危害。
1：ESD靜電二極管FESD0504S低容以太網(wǎng)端口ESD參數(shù)：
封裝：SOT-26
電壓：5V
鉗位電壓：12.5V
容值：1.2pF
功率：350W
2：ESD靜電二極管FESD0504S低容以太網(wǎng)端口ESD特性:
1、依據(jù)(tp=8/20μs)線路，峰值脈沖功率為350W
2、保護(hù)四個(gè)I/O線
3、低鉗位電壓
4、工作電壓：5V
5、低漏電流
6、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空氣),±8kV(接觸)
7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)
8、IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs)
3：ESD靜電二極管FESD0504S低容以太網(wǎng)端口ESD尺寸:
4：本公司生產(chǎn)以下型號(hào)ESD靜電二極管：
1 單路TVS FESD9D3V3 單路單向TVS,3.3V,DFN1006(0402) ESD9X3.3ST5G /ONsemi ESD9X3V3 /Willsemi SESD9D3V3/SINO
2：FESD9D5V 單路單向TVS,5.0V,DFN1006(0402) ESD9X5.0ST5G /ONsemi ESD9X5V /Willsemi UM5059/Union PESD5V0SIUL /NXP SESD9D5V/SINO DF2S6.8FS/Toshiba
3：FESD9D12V 單路單向TVS,12V,DFN1006(0402) ESD9X12VD/Willsemi SESD9D12V/SINO
4：FESD9D5VL 單路單向,0.9PF,DFN1006,,USB3.0 HDMI口的保護(hù) SESD9L5V/SINO ESD9X5VL/Willsemi SIG9L5.0ST5G/SIG ESD9X5VU/Willsemi
5：FESD9B5V 單路雙向,5.0V,DFN1006(0402) ESD9B5.0CT1 /ONsemi PESD5V0S1BL/NXP PESDC2ND5VB/Prisemi SESD9D5C/SINO RSB6.8CM/Rohm
6：FESD9B5VL 單路雙向TVS，0.9PF，DFN1006(0402) ESD9N5VU-2/TR/Willsemi SEDFN05CU/SINO
7： FESD9B5VUL 單路雙向TVS，0.35PF，DFN1006(0402) ESD9N5VU-2/TR/Willsemi SEDFN05CU/SINO
8： FESD5Z3V3 單路單向,3.3V,SOD-523（0603） ESD5Z3.3T1/Onsemi SESD5Z3V3/SINO
9： FESD5 |
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