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真空化學(xué)氣相沉積爐

真空化學(xué)氣相沉積爐//真空化學(xué)氣相沉積爐

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公　司：西尼特（北京）電爐有限公司

發(fā)布時(shí)間：2024年10月10日

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公司主頁：	http://cnt888.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細(xì)說明

    ※應(yīng)用領(lǐng)域：
CNT生產(chǎn)的CVD（真空化學(xué)氣相沉積爐）是一種用于在基片上生成高質(zhì)量TiC、SiC、SiO2、Si3N4 專用設(shè)備。淀積溫度能夠較高 (100～1200℃可調(diào) ) ，它已成為機(jī)械制造工業(yè)、冶金工業(yè)、光學(xué)工業(yè)、半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域微電子和光電子領(lǐng)域科研和生產(chǎn)不可缺少的設(shè)備。
※產(chǎn)品描述：
CNT公司CVD設(shè)備主要由全真空專用不銹鋼腔體，分子泵高真空系統(tǒng)，電源，生長機(jī)體載體及溫控系統(tǒng)，獨(dú)立排氣和生長壓力調(diào)節(jié)系統(tǒng)，冷卻循環(huán)水輔助設(shè)備等組成。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、操作方便、抽真空速度快。此設(shè)備控制系統(tǒng)采用邏輯按鈕手動(dòng)控制與工控機(jī)自控控制可選。實(shí)現(xiàn)真空抽氣和鍍膜工藝一體化功能。此設(shè)備可用于制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜等。
※技術(shù)指標(biāo)：

參數(shù) 名稱單   位配置
沉積類型 TiC、SiC、SiO2、α-Si等
電   源射頻電源，帶正向功率和反射功率計(jì)指示，帶匹配器
加熱系統(tǒng) 平板式雙反應(yīng)室系統(tǒng)，帶加溫和勻氣系統(tǒng)
工作溫度 ℃ 100~1100℃
基片臺(tái)尺寸 (φ×H)mm 1英寸、二英寸、三英寸、四英寸、6英寸、8英寸
基片臺(tái)轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)速0-20RPM
控溫精度 ℃ ±1
極限真空 pa 8.0×10-5
密封系統(tǒng) 磁流體密封
水冷、氣路系統(tǒng) 冷卻水循環(huán)機(jī)、無噪聲氣泵
報(bào)警及保護(hù) 對(duì)缺水、過流過壓、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警及相應(yīng)保護(hù)措施
真空系統(tǒng)
（選配）真空系列單級(jí)機(jī)械泵、擴(kuò)散泵機(jī)組、分子泵
工作腔體不銹鋼
氣氛系統(tǒng) 浮子流量計(jì)、進(jìn)口、國產(chǎn)質(zhì)量流量計(jì)
記錄裝置進(jìn)口、國產(chǎn)無紙記錄儀
備注：西尼特可根據(jù)閣下要求提供各種非標(biāo)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)制造，歡迎來函、來電咨詢！
      24小時(shí)熱線：400-668-6260   18610138965    Fax:010-51418223
  cntdl@sina.com                     http://www.cimitdl.com

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